021-57632846
项目背景
某8英寸晶圆制造厂扩产，需新建光刻与刻蚀区净化车间，要求满足高阶制程对空气分子污染物（AMC）、温湿度、颗粒度及压差的极端苛刻标准。
项目挑战
超严格环境参数：光刻区需维持温度23℃±0.1℃，相对湿度45%±1% RH，远超常规洁净室精度；
· 高洁净度与高能耗矛盾：要求ISO
Class 4（十级）甚至局部Class 3，传统方案能耗极高，业主对运营成本有硬性约束；
· 交叉污染风险：刻蚀区使用腐蚀性气体，需与光刻区严格物理隔离并独立排风，同时保持全厂压差梯度（≥5Pa），防止气流倒灌；
· 工期紧迫：扩产窗口期仅4个月，需同步完成设备搬入和调试，施工与生产交叉进行，安全管控难度大。
碧环专业措施
· 精准环境营造：采用“FFU（风机过滤单元）全覆盖 + 微环境隔离”分区策略，光刻核心区独立设置超高效过滤器（U15）和恒温恒湿空调系统，搭配高精度传感器及PID闭环控制，实现温湿度波动＜±0.05℃/±0.5% RH；
· 节能降耗设计：全区域配置变频FFU，根据实时颗粒浓度自动调节转速；新风系统采用热回收型MAU（空调箱），回收排风余热预热新风，降低冷热源负荷，综合节能率达25%；
· 压差梯度管理：设计“光刻区（正压）→ 刻蚀区（负压）→ 辅助区”多级压差体系，缓冲区设置气闸间与互锁门，配合智能BMS系统实时监控，确保流向单向性；
· SOP化施工与安全管控：编制专项施工方案，所有洁净区域施工执行“人、物、机”净化流程，使用不锈钢无尘工具，施工人员穿戴洁净服并经过风淋；交叉作业区设置硬质围挡，排风管道提前预装，最大限度减少对现有产线的影响。
量化验收指标
指标 达成值 行业标准（对标）
洁净度等级（光刻核心区） ISO
Class 4（十级），≥0.3μm粒子＜100个/m³ ISO Class 5（百级）要求
温控精度 23℃±0.08℃（优于±0.1℃） ±0.1℃
湿度控制 45%±0.8% RH（优于±1%） ±1%
RH
压差梯度 核心区与外部压差≥15Pa，各区域压差稳定 ≥5Pa
节能效果 综合能耗较传统方案降低25% —
验收一次性通过率 100%（悬浮粒子、浮游菌、沉降菌、AMC均达标） —
交付工期 115天（提前5天完成） 合同约定120天
碧环价值总结：通过精准设计、智能节能和严苛施工管理，碧环为晶圆制造企业打造了高可靠性、低运营成本的洁净生产环境，助力客户良率提升与扩产目标达成。该案例充分体现碧环在半导体高等级净化工程领域的综合实力，可复制应用于各类电子、医药、精密制造洁净厂房建设。
